የ12ኛ ክፍል ውጤት ወጥቷል፤ ውጤትዎን የሚያዩበት መንገድ

የምዕራፍ ማስታወሻዎችና የመልመጃ ጥያቄዎች

የ12ኛ ክፍል ፊዚክስ ምዕራፍ 5፦ የኤሌክትሮኒክስ መሠረታዊያን

በዚህ ገጽ ያለው ሁሉ ለ12ኛ ክፍል የፊዚክስ መፅሐፍ ምዕራፍ 5 ነው፦ ምዕራፉ የሚሸፍነው፣ አጭር ማስታወሻዎቹ፣ የመልመጃ ጥያቄዎች ከመልሶቻቸው ጋር፣ እና ቪዲዮ ባለበት የትምህርቱ ቪዲዮ።

ከ Google Play ያውርዱ
5
ካርዶች
10
የምዕራፍ 5 የመልመጃ ጥያቄዎች

ምዕራፍ 5 የሚሸፍነው

  1. 1.Semiconductors
  2. 2.Diodes and their Functions
  3. 3.Rectification
  4. 4.Transistors and their application
  5. 5.Integrated Circuits
  6. 6.Logic gates and logic circuits
  7. 7.Application of electronics

የምዕራፍ 5 አጭር ማስታወሻዎች

በ12ኛ ክፍል የፊዚክስ ገጽ ላይ በዚህ ምዕራፍ ሥር የተመዘገቡት ካርዶች። አንድ በአንድ ይክፈቱ።

ዓይነትየዶፓንት ምድብየዶፓንት ምሳሌዎችአብላጫ አስተላላፊአናሳ አስተላላፊ
N-typeGroup V (pentavalent)As, P, Sb, BiElectronsHoles
P-typeGroup III (trivalent)B, Al, Ga, InHolesElectrons

መቼ እንደሚጠቀሙበት

በ N-type እና P-type ሴሚኮንዳክተሮች፣ ቆሻሻዎቻቸው እና የቻርጅ አስተላላፊዎቻቸው መካከል ያለውን ልዩነት ለመለየት ይጠቀሙ።

ይጠንቀቁ

አንዱ ተሸካሚ ከሌላው በቁጥር ቢበልጥም ዶፕ የተደረጉ ሴሚኮንዳክተሮች በአጠቃላይ የኤሌክትሪክ ገለልተኛ ናቸው።

ከGrade 12 Physics፣ ከገጽ 143 ጀምሮ የተዘጋጀ፤ ከመውጣቱ በፊት ሁለት ጊዜ ተረጋግጧል

ጌትየሎጂክ ተግባርውጤት 1 የሚሆነውሁለንተናዊ ጌት
ORመደመር: y=A+By = A + Bቢያንስ አንድ input 1 ሲሆንአይደለም
ANDማባዛት: y=A⋅By = A \cdot Bሁሉም inputs 1 ሲሆኑአይደለም
NOTInversion: ነጠላ inputInput 0 ሲሆንአይደለም
NORInverted ORሁሉም inputs 0 ሲሆኑአዎ
NANDInverted ANDቢያንስ አንድ input 0 ሲሆንአዎ

መቼ እንደሚጠቀሙበት

ለዲጂታል ሎጂክ ሰርክዩቶች የቡሊያን ሎጂክ ተግባራትን እና ውጤቶችን ለማስላት ይጠቀሙ።

ይጠንቀቁ

በቡሊያን ሎጂክ ድምር 1 + 1 እኩል ይሆናል 1 እንጂ 2 አይደለም፤ ይህም እውነት ወይም እውነት ማለት ነው።

ከGrade 12 Physics፣ ከገጽ 143 ጀምሮ የተዘጋጀ፤ ከመውጣቱ በፊት ሁለት ጊዜ ተረጋግጧል

መቼ እንደሚጠቀሙበት

ለትክክለኛ የማጉላት ተግባር በትራንዚስተር ጃንክሽኖች ላይ የሚያስፈልጉ የባያስ ቮልቴጅ ፖላሪቲዎችን ሲወስኑ ይጠቀሙ።

ይጠንቀቁ

የኤሚተር ቤዝ ጃንክሽን ፎርዋርድ ባያስ መሆን አለበት፤ የኮሌክተር ቤዝ ጃንክሽን ደግሞ ሪቨርስ ባያስ መሆን አለበት፤ ሁለቱንም ፎርዋርድ ባያስ ማድረግ ስህተት ነው።

ከGrade 12 Physics፣ ከገጽ 143 ጀምሮ የተዘጋጀ፤ ከመውጣቱ በፊት ሁለት ጊዜ ተረጋግጧል

β=ICIB,IE=IB+IC\beta = \frac{I_C}{I_B},\quad I_E = I_B + I_C
β\beta
የከረንት ግኝትdimensionlessdimensionless
ICI_C
የኮሌክተር ከረንትAA
IBI_B
የቤዝ ከረንትAA
IEI_E
የኤሚተር ከረንትAA

መቼ እንደሚጠቀሙበት

በባይፖላር ጃንክሽን ትራንዚስተር ውስጥ የተርሚናል ከረንቶችን ወይም የጋራ ኤሚተር ከረንት ማጉላትን ለማስላት ይጠቀሙ።

ይጠንቀቁ

የቤዝ ከረንት በማይክሮአምፒየር የሚሰጥ ሲሆን የኮሌክተር እና የኤሚተር ከረንት ግን በሚሊአምፒየር ነው፤ ከማስላትዎ በፊት ሁሉንም ወደ አምፒየር ይቀይሩ።

ከGrade 12 Physics፣ ከገጽ 143 ጀምሮ የተዘጋጀ፤ ከመውጣቱ በፊት ሁለት ጊዜ ተረጋግጧል

ክፍልየዶፒንግ መጠንአካላዊ መጠንተግባር
Emitterበከፍተኛ መጠን doped የተደረገመካከለኛ መጠንየ charge carriers ያቀርባል
Baseበትንሹ doped የተደረገበጣም ቀጭንCarriers ወደ collector ያስተላልፋል
Collectorበመጠኑ doped የተደረገትልቁ መጠንየ charge carriers ይሰበስባል

መቼ እንደሚጠቀሙበት

በባይፖላር ጃንክሽን ትራንዚስተር ውስጥ ያሉትን የሦስቱን ክፍሎች የዶፒንግ መጠን፣ አካላዊ ስፋት እና ተግባር ለማነጻጸር ይጠቀሙ።

ይጠንቀቁ

ቤዝ በጣም ቀጭን እና በጣም አነስተኛ ዶፒንግ ያለው ሲሆን ኮሌክተር ደግሞ በአካላዊ መጠኑ ትልቁ ነው።

ከGrade 12 Physics፣ ከገጽ 143 ጀምሮ የተዘጋጀ፤ ከመውጣቱ በፊት ሁለት ጊዜ ተረጋግጧል

የምዕራፍ 5 የመልመጃ ጥያቄዎች

በዚህ ምዕራፍ ላይ የተጻፉ 10 የምርጫ ጥያቄዎች፣ እያንዳንዳቸው መልሱና ምክንያቱ አላቸው። መልሱን ከመክፈትዎ በፊት ይሞክሩ። ጥያቄዎቹ በእንግሊዝኛ ናቸው።

ጥያቄ 1

How does a pure semiconductor behave at absolute zero temperature (0 K)?

  1. A.As a superconductor
  2. B.As an insulator
  3. C.As a good conductor
  4. D.As a magnetic material
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ B As an insulator

ምክንያቱ

At absolute zero (0 K), a semiconductor acts as an insulator because valence electrons remain tightly held in their covalent bonds and cannot move freely.

ጥያቄ 2

Which of the following Group III elements is added to pure silicon to create a P-type semiconductor?

  1. A.Arsenic
  2. B.Phosphorus
  3. C.Boron
  4. D.Antimony
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ C Boron

ምክንያቱ

Boron is a Group III element with three valence electrons. Adding it creates holes, which makes a P-type semiconductor.

ጥያቄ 3

What is the approximate barrier potential across a silicon P-N junction diode?

  1. A.0.3 V
  2. B.0.7 V
  3. C.1.5 V
  4. D.5.0 V
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ B 0.7 V

ምክንያቱ

The barrier potential of a P-N junction depends on the material; it is approximately 0.7 V for silicon and 0.3 V for germanium.

ጥያቄ 4

In a bipolar junction transistor, which section is lightly doped and very thin?

  1. A.Emitter
  2. B.Collector
  3. C.Base
  4. D.Anode
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ C Base

ምክንያቱ

The base is the middle layer that is lightly doped and very thin compared to the emitter and collector.

ጥያቄ 5

A student in Hawassa tests a transistor circuit. The base current is IB = 0.05 mA and the collector current is IC = 4.95 mA. What is the emitter current IE?

  1. A.4.90 mA
  2. B.5.00 mA
  3. C.0.05 mA
  4. D.99.0 mA
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ B 5.00 mA

ምክንያቱ

The emitter current is the sum of the base current and collector current: IE = IB + IC = 0.05 mA + 4.95 mA = 5.00 mA.

ጥያቄ 6

What happens to the depletion region when a P-N junction diode is forward biased?

  1. A.It becomes very thin and narrow, allowing high current to flow.
  2. B.It becomes wider, blocking all current flow.
  3. C.It remains unchanged while the barrier voltage doubles.
  4. D.It fills with positive ions on the P-side only.
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ A It becomes very thin and narrow, allowing high current to flow.

ምክንያቱ

In forward bias, charges are repelled toward the junction, making the depletion region very thin and creating a low-resistance path for electric current.

ጥያቄ 7

In a basic full-wave bridge rectifier circuit containing four diodes (D1 to D4), how many diodes conduct current during each half-cycle of the AC supply?

  1. A.Only one diode
  2. B.Only two diodes
  3. C.Three diodes
  4. D.All four diodes
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ B Only two diodes

ምክንያቱ

During each half-cycle of an AC signal, two diodes conduct in series while the other two diodes are reverse biased and switch off.

ጥያቄ 8

An integrated circuit (IC), invented by Jack Kilby and Robert Noyce, combines which four components on a small semiconductor chip?

  1. A.Diodes, transistors, resistors, and capacitors
  2. B.Diodes, transformers, inductors, and batteries
  3. C.Transistors, electric motors, switches, and cells
  4. D.Resistors, capacitors, generators, and coils
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ A Diodes, transistors, resistors, and capacitors

ምክንያቱ

An integrated circuit consists of diodes, transistors, resistors, and capacitors formed together on a single small piece of semiconductor material.

ጥያቄ 9

A technician in Addis Ababa measures a common-emitter transistor amplifier with a current gain of β = 100 and a collector current of IC = 10 mA. What is the emitter current IE?

  1. A.0.1 mA
  2. B.9.9 mA
  3. C.10.1 mA
  4. D.1000 mA
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ C 10.1 mA

ምክንያቱ

First calculate the base current: IB = IC / β = 10 mA / 100 = 0.1 mA. Then calculate the emitter current: IE = IB + IC = 0.1 mA + 10 mA = 10.1 mA.

ጥያቄ 10

Which transistor configuration provides both current gain and voltage gain, making it the most commonly used circuit arrangement?

  1. A.Common-base (CB)
  2. B.Common-collector (CC)
  3. C.Common-emitter (CE)
  4. D.Common-gate (CG)
መልሱንና ምክንያቱን ያሳዩ

መልስ፦ C Common-emitter (CE)

ምክንያቱ

The common-emitter (CE) configuration provides both current and voltage gain, giving high overall power gain.

መተግበሪያው በዚህ ምዕራፍ ላይ 12 ጥያቄዎች አሉት፤ እየሠሩ ያርምዎታል። እዚህ ያሉት የመጀመሪያዎቹ 10 ናቸው።

የምዕራፍ 5 የመፅሐፍ ገጾች

ሙሉው የ12ኛ ክፍል የፊዚክስ መማሪያ መፅሐፍ፣ በነጻ PDF።

የትምህርት ሚኒስቴር እትም, እንግሊዝኛ, 186 ገጾች

PDF ያውርዱ

ይህን ምዕራፍ በመተግበሪያው ይለማመዱ

Temari ይህን ምዕራፍ ወደ ጊዜ የተቆረጠለት መልመጃ ይለውጠዋል፣ እየሠሩ ያርምዎታል፤ ያልገባዎትንም የሚያብራራ የ AI አስተማሪ አለ።

በነጻ ይጀምሩ

Temari.et ለ Android ስልኮች መተግበሪያ አለው፤ በ Google Play ላይ በነጻ ይገኛል።

ይግቡመለያዎን ይክፈቱ